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IXFB82N60Q3
100
Fig. 7. Input Admittance
100
Fig. 8. Transconductance
90
80
70
60
90
80
70
60
T J = - 40oC
25oC
50
40
T J = 125oC
25oC
- 40oC
50
40
125oC
30
20
10
0
30
20
10
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
320
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
280
240
200
160
120
T J = 125oC
14
12
10
8
6
V DS = 300V
I D = 41A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
0
50
100
150
200
250
300
350
400
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
R DS(on) Limit
10,000
Ciss
100
25μs
1,000
100
10
Coss
Crss
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
100μs
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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